特征:
-30V;-20A
RDS(ON)<14mΩ@VGS=-10V TYP=10.5m
RDS(ON)<19mΩ@VGS=-4.5V TYP=15.5m
沟槽DMOS电源MOSFET
快速开关
卓越的导通电阻和最大直流电流能力
应用:
直流/直流转换器
便携式设备的负载开关
电池开关
详情请咨询我司业务15986786916
铨力直流导通开关P沟道发布于:广东省特征:
-30V;-20A
RDS(ON)<14mΩ@VGS=-10V TYP=10.5m
RDS(ON)<19mΩ@VGS=-4.5V TYP=15.5m
沟槽DMOS电源MOSFET
快速开关
卓越的导通电阻和最大直流电流能力
应用:
直流/直流转换器
便携式设备的负载开关
电池开关
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